一汽紅旗近日取得了重要技術突破，其研發總院新能源開發院功率電子開發部成功自主研發出碳化硅功率芯片，并已完成首次流片。這一成果標志著紅旗在新能源汽車核心技術領域邁出了堅實的一步。

在研發過程中，紅旗團隊全面主導了從產品核心指標定義到晶圓封測的全鏈條開發。他們精心選擇了襯底與外延材料，并設計了創新的元胞結構，以確保芯片的高性能和高可靠性。

據官方介紹，這款碳化硅功率芯片專為整車電驅動、智慧補能等系統應用需求而設計。它采用了多項先進技術，實現了擊穿電壓超過1200V和導通電阻小于15mΩ的優異性能。