近期，三星電子的存儲業務部門宣布了一項重大進展：其HBM4（高帶寬存儲器第四代）內存的邏輯芯片設計已經圓滿完成。與此同時，該公司的Foundry業務部也已利用先進的4nm工藝開始了試產工作。
HBM，作為高性能計算（HPC）、人工智能（AI）及圖形處理（GPU）等領域的關鍵組件，憑借其出色的性能一直備受矚目。然而，HBM的發展并非一帆風順，其中運行時的高發熱問題尤為突出，特別是在邏輯芯片層面。
據內部人士透露，為了克服這一挑戰，三星采用了更為先進的制程技術。這不僅有助于降低發熱，還能顯著提升HBM4的能效和性能。在制造過程中，三星不僅運用了自家的4nm技術來生產邏輯芯片，還引入了10nm制程技術來打造DRAM，以確保HBM4產品的卓越品質。
從行業數據來看，HBM4標準支持高達2048位的接口，數據傳輸速率更是達到了6.4GT/s。與HBM3E相比，HBM4的單個堆棧帶寬已經躍升至1.6TB/s，這一提升無疑將極大地增強內存系統的數據吞吐能力。這也意味著，HBM4將能夠更好地滿足人工智能、深度學習、大數據處理以及高性能計算等領域對內存性能的苛刻需求。
在研發進度方面，三星的HBM4項目正在有條不紊地推進中。據預計，該產品將在2025年下半年正式投入量產。屆時，HBM4有望為相關行業帶來更加出色的性能和更廣泛的應用前景。
