在最新的科技動態中，三星電子DS部門的首席技術官Song Jai-hyuk于美國加州舊金山舉行的IEEE ISSCC 2025國際固態電路會議上發表了一項重要聲明。據韓媒SEDaily現場報道，Song透露，三星計劃在2028年推出一款專為設備端AI應用設計的LPW DRAM內存產品。
LPW DRAM，即LPDDR Wide-IO內存的簡稱，是一種專為移動設備設計的內存產品。與LPDDR內存相比，LPWDRAM具有更寬的I/O位寬，它通過增加I/O通道數量并降低每個通道的數據傳輸速率，來實現高帶寬與低功耗的雙重優勢。
在結構層面，LPW DRAM也進行了大膽的創新。三星采用了結合RDL（重布線層）的垂直引線鍵合技術，取代了傳統的引線鍵合方式。這一改變不僅使得封裝尺寸大大減小，還顯著提升了能效表現。
據三星電子介紹，LPW DRAM的帶寬將超過200GB/s，與現有的LPDDR5x內存相比，帶寬提升了高達166%。同時，其功耗也顯著降低至1.9 pJ / bit，比LPDDR5x低了54%。這一突破性的進步，無疑將為設備端AI應用提供更加高效、可靠的內存支持。
隨著AI技術在移動設備中的廣泛應用，對于高性能、低功耗內存的需求日益增長。LPW DRAM的推出，將有望滿足這一市場需求，進一步推動AI技術在移動設備中的普及與發展。
