SK海力士近期在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，正全力推進(jìn)新一代低功耗內(nèi)存LPDDR5M的研發(fā)。據(jù)悉，該內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率與現(xiàn)有的LPDDR5T持平，均高達(dá)9.6Gbps，但在能效方面實(shí)現(xiàn)了大幅提升。

具體而言，LPDDR5M的工作電壓從原先的1.01-1.12V降低至0.98V，這一改進(jìn)使得能效提高了8%。業(yè)內(nèi)人士指出，這一技術(shù)突破有望廣泛應(yīng)用于配備設(shè)備端AI功能的智能手機(jī)中，幫助這些設(shè)備在執(zhí)行密集型操作時(shí)減少電量消耗，從而更好地滿足設(shè)備制造商對高性能與低功耗的雙重需求。預(yù)計(jì)SK海力士將在今年內(nèi)推出LPDDR5M產(chǎn)品。

與此同時(shí)，SK海力士在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域同樣取得了重要成果。目前，公司已進(jìn)入12層堆疊HBM4的試產(chǎn)階段，且良品率從去年底的60%提升至70%。這一進(jìn)展主要得益于SK海力士采用的1βnm（第五代10nm級別）工藝制造DRAM芯片，該工藝在性能和穩(wěn)定性方面均表現(xiàn)出色。

這一先進(jìn)工藝還將應(yīng)用于HBM3E產(chǎn)品的生產(chǎn)中。根據(jù)計(jì)劃，SK海力士將于2025年6月向英偉達(dá)提供HBM4樣品，以支持其Rubin架構(gòu)產(chǎn)品的需求。公司預(yù)計(jì)在今年下半年推出首批12層堆疊的HBM4產(chǎn)品，并將在2025年第三季度全面進(jìn)入供應(yīng)階段。這一系列的舉措無疑將進(jìn)一步鞏固SK海力士在高端內(nèi)存市場的領(lǐng)先地位。