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鎧俠存儲峰會揭秘:堆疊層數(shù)挑戰(zhàn)新高,未來閃存發(fā)展路徑何在?

   發(fā)布時間:2025-03-18 12:03 作者:任飛揚

近期,存儲行業(yè)年度盛會CFMS | MemoryS 2025在深圳如期舉行,吸引了眾多行業(yè)內(nèi)外目光。借此契機,我們有幸采訪到鎧俠電子的多位高層管理人員,就閃存行業(yè)的發(fā)展趨勢以及鎧俠自身的戰(zhàn)略規(guī)劃進行了深入探討。

此次接受采訪的鎧俠高管團隊陣容強大,包括鎧俠株式會社首席技術(shù)官柳茂知、鎧俠電子(中國)董事長兼總裁岡本成之、副總裁天野竜二、閃存顆粒技術(shù)統(tǒng)括部總經(jīng)理大久保貴史以及閃存顆粒市場統(tǒng)括部高級總監(jiān)錢阿蒙。

針對當(dāng)前NAND閃存廠商在堆疊層數(shù)上的激烈競爭,鎧俠方面表示,盡管市場上已有不少300+層堆疊的閃存產(chǎn)品被宣布,但目前尚未實現(xiàn)量產(chǎn)。鎧俠現(xiàn)階段的主力產(chǎn)品仍為第五代BiCS5,堆疊層數(shù)為112層,并已應(yīng)用于最新的PM7 SAS-4 SSD和CM7 PCIe 5.0 SSD中,單盤最大容量可達32TB TLC。

同時,鎧俠透露,其218層堆疊的第八代BiCS 8自2024年7月起已開始量產(chǎn),并將于今年加大批量供貨。目前,BiCS 8的生產(chǎn)主要在日本三重縣四日市的工廠進行,而自今年秋季起,日本北上工廠也將開始生產(chǎn)BiCS 8。鎧俠預(yù)計,在未來一年左右,BiCS 5和BiCS 8將共同成為其供貨的主力軍。

鎧俠強調(diào),第八代BiCS8閃存不僅通過增加堆疊層數(shù)擴大了容量,還通過平面方向的定標(biāo)和雙晶圓鍵合技術(shù),實現(xiàn)了更高的存儲密度,從而具備了強大的成本競爭力。速度的提升也是閃存發(fā)展的關(guān)鍵所在。

鎧俠剛剛發(fā)布的LC9 122.88TB SSD,作為業(yè)界第二款達到如此高容量的產(chǎn)品,首次采用了第八代BiCS NAND架構(gòu)的2Tb QLC閃存。該產(chǎn)品支持PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0和NVMe-MI接口,順序讀寫速度分別為12GB/s和3GB/s,適合讀取密集型應(yīng)用。

鎧俠還宣布了第九代BiCS9和第十代BiCS10,開啟了雙路線并行的全新策略。BiCS9在提高復(fù)用率、降低成本的同時,搭配最新的CMOS制程,使I/O速度提高到4800MT/s。而BiCS10則同時升級了存儲陣列和CMOS制程,堆疊層數(shù)最多可達332層,存儲密度提升超過59%,同樣支持4800MT/s,帶來更高的性能和能效。

展望未來,鎧俠和三星都規(guī)劃了1000層左右的閃存架構(gòu),預(yù)計將在2030年左右實現(xiàn)。鎧俠表示,從技術(shù)角度來看,實現(xiàn)1000層以上的閃存堆疊是可行的,但關(guān)鍵在于取得性能和成本之間的平衡。因此,鎧俠將不斷推進包括水平方向在內(nèi)的存儲密度提升,以更好地滿足市場需求。

在SSD傳輸協(xié)議方面,鎧俠預(yù)計PCIe 6.0 SSD將在2025年開始出現(xiàn),2026年開始部署,2028年左右開始普及;而PCIe 7.0 SSD則要到2028年才會出現(xiàn),2029年開始部署。鎧俠的BiCS9閃存主要面向PCIe 6.0 SSD,而BiCS10則可用于未來的PCIe 6.0乃至PCIe 7.0 SSD。

對于整個NAND閃存市場,鎧俠認為,在經(jīng)歷去年第四季度的明顯回暖后,由于閃存廠商和行業(yè)客戶的產(chǎn)能及庫存調(diào)整,供求平衡將繼續(xù)改善,市場將持續(xù)復(fù)蘇。盡管AI PC和AI手機的存儲需求不斷增加,但短期內(nèi)PC和手機市場狀況仍不樂觀。然而,數(shù)據(jù)中心和企業(yè)市場對存儲的需求將持續(xù)增長,特別是在AI訓(xùn)練和推理應(yīng)用的推動下,高性能、大容量企業(yè)級SSD產(chǎn)品的需求有望在2025年下半年進一步恢復(fù)。

 
 
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