近期，存儲行業(yè)年度盛會CFMS | MemoryS 2025在深圳如期舉行，吸引了眾多行業(yè)內(nèi)外目光。借此契機，我們有幸采訪到鎧俠電子的多位高層管理人員，就閃存行業(yè)的發(fā)展趨勢以及鎧俠自身的戰(zhàn)略規(guī)劃進行了深入探討。

此次接受采訪的鎧俠高管團隊陣容強大，包括鎧俠株式會社首席技術(shù)官柳茂知、鎧俠電子（中國）董事長兼總裁岡本成之、副總裁天野竜二、閃存顆粒技術(shù)統(tǒng)括部總經(jīng)理大久保貴史以及閃存顆粒市場統(tǒng)括部高級總監(jiān)錢阿蒙。

針對當(dāng)前NAND閃存廠商在堆疊層數(shù)上的激烈競爭，鎧俠方面表示，盡管市場上已有不少300+層堆疊的閃存產(chǎn)品被宣布，但目前尚未實現(xiàn)量產(chǎn)。鎧俠現(xiàn)階段的主力產(chǎn)品仍為第五代BiCS5，堆疊層數(shù)為112層，并已應(yīng)用于最新的PM7 SAS-4 SSD和CM7 PCIe 5.0 SSD中，單盤最大容量可達32TB TLC。

同時，鎧俠透露，其218層堆疊的第八代BiCS 8自2024年7月起已開始量產(chǎn)，并將于今年加大批量供貨。目前，BiCS 8的生產(chǎn)主要在日本三重縣四日市的工廠進行，而自今年秋季起，日本北上工廠也將開始生產(chǎn)BiCS 8。鎧俠預(yù)計，在未來一年左右，BiCS 5和BiCS 8將共同成為其供貨的主力軍。

鎧俠強調(diào)，第八代BiCS8閃存不僅通過增加堆疊層數(shù)擴大了容量，還通過平面方向的定標(biāo)和雙晶圓鍵合技術(shù)，實現(xiàn)了更高的存儲密度，從而具備了強大的成本競爭力。速度的提升也是閃存發(fā)展的關(guān)鍵所在。

鎧俠剛剛發(fā)布的LC9 122.88TB SSD，作為業(yè)界第二款達到如此高容量的產(chǎn)品，首次采用了第八代BiCS NAND架構(gòu)的2Tb QLC閃存。該產(chǎn)品支持PCIe 5.0 x4、NVMe 2.0和NVMe-MI接口，順序讀寫速度分別為12GB/s和3GB/s，適合讀取密集型應(yīng)用。

鎧俠還宣布了第九代BiCS9和第十代BiCS10，開啟了雙路線并行的全新策略。BiCS9在提高復(fù)用率、降低成本的同時，搭配最新的CMOS制程，使I/O速度提高到4800MT/s。而BiCS10則同時升級了存儲陣列和CMOS制程，堆疊層數(shù)最多可達332層，存儲密度提升超過59%，同樣支持4800MT/s，帶來更高的性能和能效。

展望未來，鎧俠和三星都規(guī)劃了1000層左右的閃存架構(gòu)，預(yù)計將在2030年左右實現(xiàn)。鎧俠表示，從技術(shù)角度來看，實現(xiàn)1000層以上的閃存堆疊是可行的，但關(guān)鍵在于取得性能和成本之間的平衡。因此，鎧俠將不斷推進包括水平方向在內(nèi)的存儲密度提升，以更好地滿足市場需求。

在SSD傳輸協(xié)議方面，鎧俠預(yù)計PCIe 6.0 SSD將在2025年開始出現(xiàn)，2026年開始部署，2028年左右開始普及；而PCIe 7.0 SSD則要到2028年才會出現(xiàn)，2029年開始部署。鎧俠的BiCS9閃存主要面向PCIe 6.0 SSD，而BiCS10則可用于未來的PCIe 6.0乃至PCIe 7.0 SSD。

對于整個NAND閃存市場，鎧俠認為，在經(jīng)歷去年第四季度的明顯回暖后，由于閃存廠商和行業(yè)客戶的產(chǎn)能及庫存調(diào)整，供求平衡將繼續(xù)改善，市場將持續(xù)復(fù)蘇。盡管AI PC和AI手機的存儲需求不斷增加，但短期內(nèi)PC和手機市場狀況仍不樂觀。然而，數(shù)據(jù)中心和企業(yè)市場對存儲的需求將持續(xù)增長，特別是在AI訓(xùn)練和推理應(yīng)用的推動下，高性能、大容量企業(yè)級SSD產(chǎn)品的需求有望在2025年下半年進一步恢復(fù)。