1 月 9 日消息，據(jù)韓媒 The Elec 消息，三星將加速 3D NAND 堆疊進程，正在討論將預計 2025-2026 年量產(chǎn)的第十代 V-NAND 的堆疊層數(shù)跳至 430 層級。

三星此前宣布到 2030 年開發(fā)出 1000 層 V-NAND 閃存，同時，下一代 V-NAND 路線圖的輪廓也逐漸浮出水面。

據(jù)報道，三星計劃 2024 年量產(chǎn)的第九代 V-NAND 將在 280 層 3D NAND 范圍內(nèi)。對于定于 2025-2026 年量產(chǎn)的第十代 V-NAND，三星正在討論跳過 300 層直接進入 430 層。

據(jù)分析，具體工作正在按照到 2030 年發(fā)展 1000 層 V-NAND 的目標逐步推進。也有觀察認為，三星會長李在镕強調(diào)的“超級差距戰(zhàn)略”的執(zhí)行速度正在加快。

此外，業(yè)內(nèi)人士透露，三星已經(jīng)為第九代、第十代等 V-NAND 單元的數(shù)量制定了大致的路線圖，正在從多個角度開發(fā)產(chǎn)品。

V-NAND 是三星于 2013 年首發(fā)的閃存技術(shù)，通過在垂直堆疊的平面層的三維空間中鉆孔來連接每一層。

2013 年出現(xiàn)的第一代 V-NAND 是 24 層。此后又推出了第二代 32 層、第三代 48 層、第四代 64 層、第五代 92 層、第六代 128 層、第七代 176 層。每一代都經(jīng)歷了大約 1 年到 1 年零 6 個月的量產(chǎn)。

三星于 2022 年 11 月宣布量產(chǎn)了第八代 V-NAND，其堆疊層數(shù)為 236 層。據(jù)介紹，第八代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業(yè)界最高的比特密度。