【沃資訊】11月21日消息，最新數據顯示，華為技術有限公司與哈爾濱工業大學合作申請的專利“一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法”已經正式公布。

該專利涉及高科技芯片制造技術領域，其方法包括制備硅基Cu/SiO2混合鍵合樣品和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品后進行等離子體活化處理。接著，經過等離子體活化處理的Cu/SiO2混合鍵合樣品會被浸泡于有機酸溶液中，清洗并吹干。在吹干后，待鍵合表面上滴加氫氟酸溶液，以進行硅基和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品的預鍵合，最終形成預鍵合芯片。隨后，預鍵合芯片將經過熱壓鍵合和退火處理，最終產出混合鍵合樣品對。

這一技術創新實現了以Cu/SiO2混合鍵合為基礎的硅/金剛石三維異質集成，為芯片領域帶來了新的可能性。

據了解，該專利申請于2023年10月27日公布，其影響已經顯現，培育鉆石概念股的漲幅已經超過16%。此舉標志著在芯片研發領域取得的重要突破，也為未來的科技創新鋪平了道路。