SK 海力士近日宣布了一項重大技術突破，成功實現了全球首款321層1Tb TLC 4D NAND閃存的量產。這一成就標志著NAND閃存技術邁入了一個全新的高度。

這款創新的321層NAND閃存，相較于其上一代238層產品，在數據傳輸速度和讀取性能上分別取得了12%和13%的顯著提升。同時，數據讀取能效也提高了超過10%，為用戶帶來了更為高效和節能的使用體驗。

SK 海力士自2023年6月量產并推出238層NAND閃存以來，持續引領著市場技術的發展。此次321層NAND閃存的推出，不僅再次刷新了技術極限，更展示了SK 海力士在存儲技術領域的深厚積累和創新能力。據SK 海力士透露，計劃從明年上半年開始，正式向全球客戶提供這款劃時代的產品，以滿足日益增長的市場需求。

在產品開發過程中，SK 海力士采用了創新的“3-Plug”工藝技術，成功克服了堆疊過程中的技術難題。該技術通過三次通孔工藝流程，結合優化的后續工藝，實現了三個通孔之間的電氣連接。同時，開發團隊還引入了低變形材料和通孔間自動排列矯正技術，進一步提升了產品的穩定性和可靠性。

SK 海力士在開發321層NAND閃存時，充分利用了上一代238層產品的開發平臺。這一舉措不僅最大限度地減少了工藝變化帶來的風險，還使得生產效率相較于上一代產品提升了59%。這一顯著的生產效率提升，為SK 海力士在全球存儲市場上的競爭力注入了新的活力。