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三星美國半導體投資縮水,取消先進封裝,2nm成焦點?

   發布時間:2024-12-26 11:08 作者:馮璃月

近日,美國商務部正式揭曉了《CHIPS》法案激勵計劃的最新動態,宣布將向符合條件的申請者提供總計47.45億美元(折合人民幣約346.37億元)的直接資金支持。這一數字相較于今年4月初步條款備忘錄中提出的64億美元,減少了超過四分之一。

在審視了相關文件后,不難發現,三星電子對于在美國半導體領域的投資計劃也進行了調整。從最初承諾的“超過400億美元”的投資規模,下調至如今的“超過370億美元”。同時,項目的具體細節也有所變動。

原本,三星電子計劃在得克薩斯州泰勒市建設一座集3D HBM和2.5D封裝技術于一體的先進封裝設施。然而,在最終達成的協議中,這一部分內容被悄然刪除。泰勒市原本規劃中的兩座先進制程工廠,原定的生產目標是4nm和2nm制程技術。但在最新協議中,僅提及了2nm制程技術的量產計劃。

這一系列變動不僅影響了項目的整體規模,還直接關聯到所能提供的高薪制造業工作崗位和建筑工作機會的數量。與4月時的數據相比,高薪制造業工作崗位從4500多個減少到了3500多個,建筑工作機會也從超過17000個降至約12000個。

從目前的調整來看,三星電子在美國的先進制程產能將更加聚焦于下一代尖端節點,即2nm制程技術,而非當前已相對成熟穩定的4nm制程。同時,三星也暫時擱置了在美國提供先進制程與先進封裝“一站式”服務的計劃。

面對這一系列調整,三星電子新任foundry負責人韓真晚表示,當前該部門最為關鍵的任務是實現2nm制程技術的快速爬坡,特別是良率的提升。韓真晚強調,更出色的工藝質量將有助于泰勒市的2nm工廠贏得美國本土無晶圓廠設計企業的青睞。

 
 
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