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SK海力士獨家供應英偉達新一代芯片,HBM3E技術再領先?

   發布時間:2025-03-18 14:03 作者:朱天宇

近期,半導體行業傳來一則重要消息,SK 海力士預計將成為英偉達新一代Blackwell Ultra架構芯片的核心供應商,獨家提供第五代12層HBM3E內存。這一舉措預計將進一步鞏固SK海力士在高端內存市場的領先地位,同時拉大其與三星電子和美光科技之間的技術差距。

回顧去年9月,SK海力士在全球率先實現了12層HBM3E芯片的量產,該芯片的最大容量達到了36GB。在性能上,12層HBM3E的運行速度高達9.6Gbps,這意味著在配備四個HBM的GPU上運行大型語言模型,如“Llama 3 70B”時,每秒能夠讀取35次700億個參數,展現了其卓越的數據處理能力。

值得注意的是,SK海力士與英偉達的合作不僅限于當前這一代產品。去年11月,SK集團會長崔泰源透露,英偉達CEO黃仁勛已向SK海力士提出要求,希望其能提前六個月供應下一代高帶寬內存芯片HBM4。為了滿足這一需求,SK海力士計劃在2025年下半年推出首批采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而更高規格的16層堆疊HBM則將在2026年稍后推出。

與此同時,三星電子在高端內存市場的追趕之路并未停止。據彭博社今年2月的報道,三星電子已獲得向英偉達供應其8層HBM3E高帶寬存儲芯片的批準。盡管這一進展標志著三星在技術上的進步,但在高帶寬內存(HBM)技術領域,三星仍落后于SK海力士和美光科技等競爭對手。

美光科技方面,也在積極布局高端內存市場。公司執行副總裁兼首席財務官Mark Murphy在今年2月透露,美光的12層堆疊HBM內存產品(12Hi HBM3E)即將實現放量生產。這表明,美光科技也在加速推進其高端內存產品的商業化進程,試圖在激烈的市場競爭中占據一席之地。

隨著SK海力士、三星電子和美光科技等公司在高端內存市場的激烈競爭,未來誰將占據主導地位仍充滿變數。但可以預見的是,技術的不斷創新和升級將是決定勝負的關鍵。

 
 
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