英飛凌近日在硅功率晶圓技術領域取得了重大突破，成功研發(fā)出史上最薄的硅功率晶圓。這一創(chuàng)新成果不僅提升了技術性能，還為未來功率轉換技術的發(fā)展奠定了基礎。

新研發(fā)的晶圓直徑為30mm，厚度僅為20μm，相當于傳統(tǒng)晶圓厚度的一半，極大地降低了基板電阻和功率損耗。

超薄晶圓技術的應用，特別是在高端AI服務器領域，對于實現(xiàn)高效功率轉換具有重要意義。它促進了垂直功率傳輸設計的發(fā)展，提高了整體效率。

英飛凌的這一技術已獲得市場認可，并已成功應用于其集成智能功率級產品中，交付給了首批客戶。

據(jù)悉，英飛凌將在2024年慕尼黑國際電子元器件博覽會上公開展示這款超薄硅晶圓。