近期，三星電子在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議IEEE ISSCC 2025上，通過(guò)韓媒SEDaily的現(xiàn)場(chǎng)采訪，向外界展示了其最新的HBM內(nèi)存發(fā)展藍(lán)圖，并詳細(xì)闡述了即將推出的HBM4E內(nèi)存的預(yù)期性能指標(biāo)。

據(jù)三星電子透露，HBM4E相較于其前代HBM4，在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了兩大重要飛躍。首先，HBM4E引入了32Gb DRAM裸片，這一創(chuàng)新使得在16Hi堆疊配置下，單個(gè)堆棧的內(nèi)存容量能夠擴(kuò)展至64GB。其次，HBM4E將每引腳的傳輸速率提升至10Gbps，這一提升直接導(dǎo)致了HBM4E的整體帶寬相較于HBM4提高了25%。

在應(yīng)用層面，HBM4E內(nèi)存的潛力同樣引人注目。據(jù)業(yè)內(nèi)消息，英偉達(dá)計(jì)劃在2027年推出的Rubin Ultra AI GPU，將支持采用HBM4E內(nèi)存。這款GPU將支持多達(dá)12個(gè)HBM4 (E) 堆棧，如果全部采用HBM4E堆棧，那么單個(gè)加速器的內(nèi)存容量將可能達(dá)到前所未有的768GB，這對(duì)于處理大規(guī)模數(shù)據(jù)和復(fù)雜計(jì)算任務(wù)來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是一個(gè)巨大的優(yōu)勢(shì)。

三星電子的這一舉措，不僅展示了其在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，也預(yù)示著未來(lái)高性能計(jì)算和人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉?lái)更為強(qiáng)大的硬件支持。隨著HBM4E內(nèi)存的逐步普及，我們有望看到更多高性能、大容量的計(jì)算設(shè)備問(wèn)世，為科技進(jìn)步和社會(huì)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支持。