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我國科研團(tuán)隊(duì)突破!高溫超導(dǎo)技術(shù)賦能硅單晶生長新高度

   發(fā)布時(shí)間:2025-03-17 22:05 作者:鐘景軒

近日,銀川經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會發(fā)布了一項(xiàng)重要科技成果的消息。3月15日,由中國電工技術(shù)學(xué)會主導(dǎo),寧夏超導(dǎo)泛半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司作為主要組織者,在銀川成功舉辦了“高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備、技術(shù)及應(yīng)用科技成果鑒定會”。

此次鑒定會匯聚了眾多科技領(lǐng)域的專家,其中,中國科學(xué)院院士甘子釗擔(dān)任專家委員會主席。經(jīng)過深入評估,專家委員會對項(xiàng)目給予了高度評價(jià),認(rèn)為該項(xiàng)目不僅突破了傳統(tǒng)磁拉單晶技術(shù)的限制,還成功解決了硅單晶生長過程中多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的難題。這一成果填補(bǔ)了我國在高端硅晶體制造領(lǐng)域的多項(xiàng)空白,綜合性能已達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

據(jù)了解,高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備及技術(shù)的關(guān)鍵在于引入了高溫超導(dǎo)磁體技術(shù)。寧夏超導(dǎo)泛半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司的科研團(tuán)隊(duì),針對高品質(zhì)大尺寸硅單晶生長的技術(shù)瓶頸,成功研制出了這一裝備。該裝備和技術(shù)不僅可以將硅片含氧量穩(wěn)定控制在5ppma以下,還使得硅棒頭尾的利用率提升了4%以上,生產(chǎn)效率提高了12%。目前,已經(jīng)成功拉制出直徑達(dá)到340毫米的高品質(zhì)硅棒。

銀川經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會表示,大尺寸硅單晶長棒的快速、高穩(wěn)定性、低含氧量的生長,對于解決大尺寸(12英寸以上)高品質(zhì)硅單晶的低成本、規(guī)模化生產(chǎn)具有重要意義。這不僅有助于全產(chǎn)業(yè)鏈的降本增效,還能推動(dòng)技術(shù)迭代升級。項(xiàng)目報(bào)告顯示,寧夏超導(dǎo)泛半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司的這項(xiàng)技術(shù),已經(jīng)在實(shí)際應(yīng)用中取得了顯著成效。

甘子釗院士在鑒定會上指出:“這是國際上首次將高溫超導(dǎo)技術(shù)應(yīng)用于磁控直拉單晶生長,為高溫超導(dǎo)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展做出了開創(chuàng)性的貢獻(xiàn),開辟了超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的新方向。”這一評價(jià)無疑是對項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)辛勤付出的高度認(rèn)可和肯定。

此次科技成果的取得,不僅標(biāo)志著我國在高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備及技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破,也預(yù)示著我國在高端硅晶體制造領(lǐng)域?qū)碛懈訌V闊的發(fā)展空間和前景。

 
 
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