近日，銀川經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會發(fā)布了一項重要科技成果的消息。3月15日，由中國電工技術(shù)學會主導，寧夏超導泛半導體科技有限責任公司作為主要組織者，在銀川成功舉辦了“高溫超導磁控硅單晶生長裝備、技術(shù)及應(yīng)用科技成果鑒定會”。

此次鑒定會匯聚了眾多科技領(lǐng)域的專家，其中，中國科學院院士甘子釗擔任專家委員會主席。經(jīng)過深入評估，專家委員會對項目給予了高度評價，認為該項目不僅突破了傳統(tǒng)磁拉單晶技術(shù)的限制，還成功解決了硅單晶生長過程中多項關(guān)鍵技術(shù)的難題。這一成果填補了我國在高端硅晶體制造領(lǐng)域的多項空白，綜合性能已達到國際領(lǐng)先水平。

據(jù)了解，高溫超導磁控硅單晶生長裝備及技術(shù)的關(guān)鍵在于引入了高溫超導磁體技術(shù)。寧夏超導泛半導體科技有限責任公司的科研團隊，針對高品質(zhì)大尺寸硅單晶生長的技術(shù)瓶頸，成功研制出了這一裝備。該裝備和技術(shù)不僅可以將硅片含氧量穩(wěn)定控制在5ppma以下，還使得硅棒頭尾的利用率提升了4%以上，生產(chǎn)效率提高了12%。目前，已經(jīng)成功拉制出直徑達到340毫米的高品質(zhì)硅棒。

銀川經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會表示，大尺寸硅單晶長棒的快速、高穩(wěn)定性、低含氧量的生長，對于解決大尺寸（12英寸以上）高品質(zhì)硅單晶的低成本、規(guī)模化生產(chǎn)具有重要意義。這不僅有助于全產(chǎn)業(yè)鏈的降本增效，還能推動技術(shù)迭代升級。項目報告顯示，寧夏超導泛半導體科技有限責任公司的這項技術(shù)，已經(jīng)在實際應(yīng)用中取得了顯著成效。

甘子釗院士在鑒定會上指出：“這是國際上首次將高溫超導技術(shù)應(yīng)用于磁控直拉單晶生長，為高溫超導技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展做出了開創(chuàng)性的貢獻，開辟了超導技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的新方向。”這一評價無疑是對項目團隊辛勤付出的高度認可和肯定。

此次科技成果的取得，不僅標志著我國在高溫超導磁控硅單晶生長裝備及技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破，也預(yù)示著我國在高端硅晶體制造領(lǐng)域?qū)碛懈訌V闊的發(fā)展空間和前景。