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紫光閃存新推PCIe 5.0 SSD:S5與S5 Ultra搭載石墨烯散熱,性能爆表

   發(fā)布時間:2025-03-28 08:21 作者:朱天宇

近期,紫光閃存隆重推出了兩款面向高性能存儲需求的PCIe 5.0固態(tài)硬盤——UNIS SSD S5與S5 Ultra,均配備了先進的3D TLC NAND閃存技術(shù),并貼心加入了1mm超薄石墨烯散熱片,確保長時間運行下的溫度控制。

S5系列以M.2 2280單面布局亮相,其設計不僅緊湊,還展現(xiàn)出了卓越的兼容性。該系列搭載了12nm工藝的主控芯片,并通過PCIe 5.0 x4接口與主機通信。在無需DRAM緩存的架構(gòu)下,通過高效的主機內(nèi)存緩沖技術(shù)(HMB)和SLC緩存策略,S5系列實現(xiàn)了驚人的性能:順序讀取速度高達14900MB/s,順序?qū)懭胨俣纫策_到了12900MB/s,4K隨機讀寫性能更是分別達到了1800K IOPS和1700K IOPS。1TB和2TB版本的寫入壽命分別達到了600TBW和1200TBW,幾乎觸及了PCIe 5.0標準的理論性能極限。

相比之下,S5 Ultra系列則采用了M.2 2280雙面設計,其PCBA上的線條元素不僅增添了科技美感,還保證了結(jié)構(gòu)強度。在散熱方面,特殊工藝的應用使得其散熱效率得到了進一步優(yōu)化。該系列主控芯片升級至更先進的6nm工藝,并配備了獨立緩存,通過PCIe 5.0 x4接口,實現(xiàn)了14200MB/s的讀取速度和13400MB/s的寫入速度,4K隨機讀寫性能同樣出色,分別為1700K IOPS和1600K IOPS。在容量和耐久性方面,2TB和4TB版本分別提供了1200TBW和2400TBW的寫入壽命,特別針對內(nèi)容創(chuàng)作者、工程師等需要高性能生產(chǎn)力的用戶進行了優(yōu)化。

紫光閃存此次推出的兩款新品,不僅滿足了市場對高性能存儲解決方案的迫切需求,也展示了其在固態(tài)硬盤技術(shù)領域的深厚積累和創(chuàng)新能力。無論是追求極致性能的發(fā)燒友,還是需要穩(wěn)定高效存儲方案的專業(yè)用戶,都能在這兩款產(chǎn)品中找到滿意的答案。

 
 
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