在科技領域的一次重大飛躍中，復旦大學宣布了在集成電路研究上的最新突破。這一突破不僅刷新了存儲速度的理論極限，更預示著存儲技術新時代的到來。

復旦大學的集成芯片與系統全國重點實驗室，攜手芯片與系統前沿技術研究院的周鵬-劉春森團隊，通過創新性地構建準二維泊松模型，在理論上預言了超注入現象。這一發現不僅挑戰了現有存儲技術的認知邊界，還成功研制出了名為“破曉（PoX）”的皮秒閃存器件。

據悉，“破曉”皮秒閃存器件的擦寫速度驚人，達到了亞1納秒級別（僅400皮秒），意味著每秒能執行高達25億次操作。這一速度不僅超越了現有的所有半導體電荷存儲技術，甚至超過了同技術節點下的易失性存儲SRAM技術，成為迄今為止世界上最快的存儲技術。

傳統的閃存技術依賴于浮柵晶體管，其中電子在源極到漏極的通道中加速，通過柵極的“開關”作用被拽入浮柵存儲層。然而，這一過程中電子的加速距離長且速度受限，導致存儲速度難以突破注入極值點。為了克服這一難題，周鵬-劉春森團隊提出了一種全新的提速思路。

他們結合了二維狄拉克能帶結構與彈道輸運特性，通過調制二維溝道的高斯長度，實現了溝道電荷向浮柵存儲層的超注入。在超注入機制下，電子無需長距離加速即可直接達到高速，且注入過程不受注入極值點的限制，實現了存儲速度的質的飛躍。

這一突破性成果以《亞納秒超注入閃存》為題，于近日在《自然》期刊上發表。論文詳細闡述了超注入現象的理論預測與實驗驗證過程，以及“破曉”皮秒閃存器件的卓越性能。

復旦大學表示，這一技術的成功研發有望徹底顛覆現有的存儲器架構。在未來的個人電腦中，內存和外存的概念或將不復存在，分層存儲的需求也將被顛覆。更重要的是，該技術為實現AI大模型的本地部署提供了可能，將極大地推動人工智能技術的發展。

團隊將這項技術命名為“破曉”，寓意著它如同破曉的曙光，打破了既有存儲速度分級架構的束縛，引領我們進入一個全新的存儲時代。