英特爾在近期舉辦的2025年VLSI研討會(huì)上，深入分享了其前沿的Intel 18A制程技術(shù)的詳細(xì)信息。這項(xiàng)技術(shù)不僅在性能上實(shí)現(xiàn)了顯著提升，還在設(shè)計(jì)易用性方面邁出了重要一步。

據(jù)悉，Intel 18A制程推出了高性能（HP）和高密度（HD）兩種庫，兩者均配備了全面的技術(shù)設(shè)計(jì)功能和增強(qiáng)的易用性。在關(guān)鍵的PPA（性能、功耗、面積）指標(biāo)上，Intel 18A制程在標(biāo)準(zhǔn)Arm核心架構(gòu)的芯片上，以1.1V的電壓實(shí)現(xiàn)了令人矚目的25%速度提升和36%功耗降低。這一突破性的表現(xiàn)，無疑為未來的芯片設(shè)計(jì)提供了新的可能性。

與Intel 3制程相比，Intel 18A在面積利用率上有了顯著提升。這意味著，采用Intel 18A制程的芯片可以在更小的面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的設(shè)計(jì)，從而提高了整體的設(shè)計(jì)效率和密度。

英特爾在其官方資料中透露，Intel 18A制程采用了RibbonFET環(huán)繞柵極晶體管（GAA）技術(shù)，這一技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的精確控制。同時(shí)，該技術(shù)還結(jié)合了業(yè)界首創(chuàng)的PowerVia背面供電技術(shù)，進(jìn)一步提升了電力傳輸?shù)姆€(wěn)定性和效率。英特爾還展示了電壓下降圖，以證明在高性能條件下，Intel 18A制程的節(jié)點(diǎn)穩(wěn)定性得到了顯著提升。

通過背面供電技術(shù)的運(yùn)用，英特爾實(shí)現(xiàn)了更緊密的單元封裝，并顯著提高了面積效率。這一改進(jìn)主要得益于背面供電技術(shù)相比正面布線釋放了更多的空間，使得芯片設(shè)計(jì)更加緊湊和高效。

從當(dāng)前披露的信息來看，如果Intel 18A制程的良率能夠達(dá)到預(yù)期，它將成為臺(tái)積電2nm制程的有力競爭對(duì)手。這一制程技術(shù)的推出，將有望推動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和發(fā)展。

據(jù)市場預(yù)測(cè)，Intel 18A制程將首先應(yīng)用于Panther Lake SoC和Xeon的Clearwater Forest CPU。預(yù)計(jì)最早在2026年，消費(fèi)者就有可能見到采用這一先進(jìn)制程技術(shù)的終端產(chǎn)品。這將為消費(fèi)者帶來更加高效、節(jié)能和強(qiáng)大的計(jì)算體驗(yàn)。