日本京都即將迎來半導(dǎo)體行業(yè)的一大盛事——2025年超大規(guī)模集成電路研討會（VLSI Symposium），該會議定于6月8日至12日舉行。作為半導(dǎo)體界備受矚目的國際盛會，VLSI Symposium匯聚了來自全球的頂尖專家和學(xué)者。近日，會議官方提前揭曉了一系列即將發(fā)布的論文亮點，其中英特爾即將披露的18A制程技術(shù)細節(jié)尤為引人關(guān)注。

英特爾在其18A制程技術(shù)上取得了顯著進展，相較于前代Intel 3制程，在性能、能效及面積（PPA）三大關(guān)鍵指標(biāo)上均實現(xiàn)了飛躍。據(jù)英特爾透露，在相同電壓（1.1V）和復(fù)雜度下，18A制程能將標(biāo)準(zhǔn)Arm核心子模塊的性能提升高達25%。同時，在保持相同頻率和電壓條件下，功耗降低了36%。即便在較低電壓（0.75V）狀態(tài)下，性能依然能提升18%，功耗降低38%。18A制程還實現(xiàn)了面積微縮，達到Intel 3制程的0.72倍，為芯片設(shè)計提供了更多靈活性。

英特爾18A制程的突破得益于兩大核心技術(shù)：RibbonFET和PowerVia。RibbonFET作為一種全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管技術(shù)，相較于傳統(tǒng)的FinFET晶體管，提供了更高的驅(qū)動電流和更低的漏電率，從而大幅提升了性能和能效。而PowerVia技術(shù)則是一種創(chuàng)新的背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）方案，通過將供電線路轉(zhuǎn)移至芯片背面，顯著減少了正面的布線復(fù)雜度，進一步提高了晶體管密度和性能。

在英特爾Vision 2025活動上，英特爾高級副總裁、代工部門負責(zé)人Kevin O'Buckley宣布，18A制程已進入風(fēng)險試產(chǎn)階段，并已向客戶交付硬件樣品進行驗證。據(jù)反饋，客戶對18A制程的表現(xiàn)非常滿意。英特爾正致力于實現(xiàn)18A制程的產(chǎn)能爬坡，以確保在技術(shù)成熟的同時滿足規(guī)模化生產(chǎn)需求，并計劃在今年下半年實現(xiàn)最終量產(chǎn)。

在產(chǎn)品規(guī)劃方面，英特爾計劃在2025年下半年量產(chǎn)基于18A制程的客戶端處理器Panther Lake。而針對數(shù)據(jù)中心市場的Clearwater Forest產(chǎn)品系列，則預(yù)計將在2026年初實現(xiàn)量產(chǎn)。基于18A制程的第三方芯片設(shè)計也取得了重要進展，首款芯片預(yù)計將在2025年中期完成流片驗證。