【沃資訊】1月23日消息，三星近日在其晶圓代工廠啟動第二代3nm工藝SF3的試產(chǎn)工作，此舉被視為三星半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展史上的重大突破。這一新工藝的推出，意味著三星與臺積電在先進(jìn)工藝領(lǐng)域的競爭將愈發(fā)激烈。

SF3工藝的創(chuàng)新之處在于其能夠在同一單元內(nèi)實現(xiàn)不同的環(huán)柵(GAA)晶體管納米片溝道寬度，這種靈活性為芯片設(shè)計帶來了更低的功耗、更高的性能以及更高的晶體管密度。據(jù)沃資訊了解，這一技術(shù)的突破將有望推動人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、汽車等多個領(lǐng)域的快速發(fā)展。

三星對于SF3工藝的發(fā)展前景充滿信心。據(jù)報道，三星計劃在接下來的6個月內(nèi)將SF3的工藝良率提升至60%以上。此外，三星還計劃將SF3工藝首先應(yīng)用于可穿戴設(shè)備處理器上，其中Galaxy Watch 7系列有望成為首批搭載SF3工藝芯片的產(chǎn)品。同時，備受關(guān)注的Exynos 2500手機芯片也將在明年采用SF3工藝進(jìn)行商用，并由Galaxy S25系列手機首發(fā)搭載。這一系列布局表明，三星正積極推進(jìn)新工藝的應(yīng)用和普及，以期在全球半導(dǎo)體市場中占據(jù)更有利的地位。