【沃資訊】1月23日消息，三星近日在其晶圓代工廠啟動第二代3nm工藝SF3的試產工作，此舉被視為三星半導體技術發展史上的重大突破。這一新工藝的推出，意味著三星與臺積電在先進工藝領域的競爭將愈發激烈。
SF3工藝的創新之處在于其能夠在同一單元內實現不同的環柵(GAA)晶體管納米片溝道寬度，這種靈活性為芯片設計帶來了更低的功耗、更高的性能以及更高的晶體管密度。據沃資訊了解，這一技術的突破將有望推動人工智能、物聯網、汽車等多個領域的快速發展。
三星對于SF3工藝的發展前景充滿信心。據報道，三星計劃在接下來的6個月內將SF3的工藝良率提升至60%以上。此外，三星還計劃將SF3工藝首先應用于可穿戴設備處理器上，其中Galaxy Watch 7系列有望成為首批搭載SF3工藝芯片的產品。同時，備受關注的Exynos 2500手機芯片也將在明年采用SF3工藝進行商用，并由Galaxy S25系列手機首發搭載。這一系列布局表明，三星正積極推進新工藝的應用和普及，以期在全球半導體市場中占據更有利的地位。
