近期，據首爾經濟日報披露，三星電子已正式啟動對1.0納米晶圓代工工藝的研發工作，此舉被視為其力圖在與臺積電的技術競賽中實現彎道超車的重要一步。

據悉，三星電子半導體研究所已組建了一支由頂尖研發人員構成的專項團隊，這些人員曾深度參與2納米等先進制程技術的研發。在三星目前公開的晶圓代工工藝藍圖中，1.4納米工藝原計劃于2027年實現量產，被視為其技術前沿的代表。

然而，三星并不滿足于現狀，而是將目光投向了更為先進的1納米工藝。據首爾經濟日報報道，1納米工藝的研發將需要突破現有的設計框架，引入全新的技術理念，以及采用包括高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）曝光設備等在內的下一代生產設備。三星預計，這一工藝的量產時間將不早于2029年。

當前，三星正在量產3納米工藝，并計劃在今年內實現2納米工藝的量產。然而，首爾經濟日報指出，在技術上，三星仍落后于其主要競爭對手臺積電，尤其是在2納米工藝方面，臺積電的良率已突破60%，而三星則存在明顯的差距。因此，三星對1納米工藝寄予了厚望，希望借此縮小與臺積電的技術差距。

盡管面臨技術挑戰，但三星在2納米工藝的研發上仍取得了一定進展。據韓媒The Bell此前報道，三星最新的2納米SF2工藝初始良率高于預期，搭載該工藝的Exynos 2600芯片試產良率已達到30%。

面對技術競賽的壓力，三星電子高層也表現出了堅定的決心。三星會長李在镕上月向高管們強調，要延續三星重視技術的傳統，并表示要以前所未有的技術引領未來。這一表態無疑為三星在先進制程技術研發上注入了強大的動力。