近日,紅旗宣布成功開發(fā)出首款1700V超高壓碳化硅功率器件樣件,這一創(chuàng)新成果有望顯著緩解用戶在駕駛過程中的充電焦慮和里程焦慮問題。該功率器件的研發(fā)成功,為未來適應“千伏”以上高壓架構的落地,以及實現5分鐘快速補能的目標奠定了堅實的基礎。
該功率器件搭載了國產先進的1700V車規(guī)級超高壓碳化硅芯片,并創(chuàng)新性地采用了高介電強度封裝材料和高耐壓封裝結構等技術。測試結果顯示,該器件的最高母線電壓可達1200V,這一性能使得相關產品和技術能夠助力補能系統(tǒng)向超高壓平臺升級,從而極大縮短充電時間。
通過結合高密度元胞并聯和短溝道元胞結構設計、高通流銅夾互聯以及高耐溫銀燒結工藝等先進技術,這款碳化硅功率器件在超高壓平臺下展現出了低損耗與高電流輸出的綜合性能優(yōu)勢。它不僅有效提升了動力系統(tǒng)的功率密度和效率,還能在高壓、高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定高效的運行,為用戶帶來強勁澎湃的駕駛體驗,同時最大程度節(jié)約整車電耗,提升續(xù)駛里程。