據(jù)韓媒ETNews報(bào)道，三星電子已作出重大決策，計(jì)劃在2025年初引進(jìn)首臺(tái)ASML High NA EUV光刻機(jī)。此舉標(biāo)志著三星將正式加入與英特爾、臺(tái)積電等巨頭在下一代光刻技術(shù)商業(yè)化研發(fā)方面的競(jìng)爭(zhēng)。

此前，三星已與比利時(shí)微電子研究中心imec展開合作，在imec與ASML共同建立的High NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室中進(jìn)行了初步探索。此次自有High NA機(jī)臺(tái)的引入，預(yù)計(jì)將大幅加速三星在相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)程。

考慮到High NA EUV光刻機(jī)的精密性，安裝和調(diào)試工作預(yù)計(jì)將耗費(fèi)一定時(shí)間。因此，該機(jī)臺(tái)有望最早在明年中旬投入研發(fā)使用。三星目前的半導(dǎo)體先進(jìn)制程路線圖已規(guī)劃至SF1.4節(jié)點(diǎn)，預(yù)計(jì)于2027年量產(chǎn)，而采用High-NA光刻的制程則最早需等待至SF1階段。

在先進(jìn)制程代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)中，三星的主要對(duì)手英特爾已完成第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)的安裝工作，而臺(tái)積電的首個(gè)機(jī)臺(tái)也預(yù)計(jì)將于今年內(nèi)交付。在存儲(chǔ)領(lǐng)域，SK海力士則有望在2026年引入其首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)。