近期，新華社發(fā)布了一則關(guān)于我國半導(dǎo)體材料技術(shù)取得重大突破的報(bào)道。據(jù)悉，以碳化硅（SiC）為核心的第三代半導(dǎo)體材料，正逐步成為推動(dòng)我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的重要驅(qū)動(dòng)力。

中國科學(xué)院微電子研究所傳來振奮人心的消息，我國首款自主研發(fā)的碳化硅（SiC）功率器件在太空成功完成了驗(yàn)證。這一里程碑式的成果，預(yù)示著第三代半導(dǎo)體材料有望引領(lǐng)我國航天電源系統(tǒng)的全面升級。

回顧2024年11月15日，由中科院微電子所劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)與中科院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)攜手打造的碳化硅（SiC）載荷系統(tǒng)，搭乘天舟八號貨運(yùn)飛船順利進(jìn)入太空，開啟了其空間站軌道的科學(xué)試驗(yàn)之旅。

劉新宇介紹稱，此次太空之旅的主要任務(wù)是驗(yàn)證國產(chǎn)自研的高壓抗輻射碳化硅（SiC）功率器件。該器件不僅要在航天電源中進(jìn)行應(yīng)用驗(yàn)證，還需進(jìn)行綜合輻射效應(yīng)等科學(xué)研究。這一系列試驗(yàn)旨在逐步提升我國航天數(shù)字電源的功率水平，為未來實(shí)現(xiàn)單電源模塊千瓦級輸出奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

經(jīng)過一個(gè)多月緊張而細(xì)致的在軌加電試驗(yàn)，碳化硅（SiC）載荷系統(tǒng)傳來捷報(bào)。測試數(shù)據(jù)顯示，高壓400V的碳化硅（SiC）功率器件在軌試驗(yàn)與應(yīng)用驗(yàn)證均取得了圓滿成功。在電源系統(tǒng)中，無論是靜態(tài)還是動(dòng)態(tài)參數(shù)，均達(dá)到了預(yù)期目標(biāo)。

業(yè)內(nèi)專家對此給予了高度評價(jià)。他們認(rèn)為，我國在太空成功驗(yàn)證由第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件，標(biāo)志著在空間載荷需求以“克”為計(jì)量的極端條件下，碳化硅（SiC）功率器件有望引領(lǐng)空間電源系統(tǒng)邁向全新時(shí)代。這一技術(shù)突破，無疑將為我國未來的探月工程、載人登月以及深空探測等航天任務(wù)提供新一代高性能功率器件。