AMD正緊鑼密鼓地籌備其下一代Zen6架構產品，這一系列將覆蓋消費級和數據中心領域。關于Zen6中核心計算集群（CCD）的工藝節點，業內有兩種不同的聲音：一種認為將采用臺積電的N3 3nm工藝，另一種則預測會使用更先進的N2 2nm工藝。

回顧Zen5家族，銳龍9000系列的輸入輸出芯片（IOD）部分采用的是臺積電的4nm工藝，而CCD部分則沿用了銳龍7000系列的6nm設計。同時，EPYC 9005系列的IOD在Zen5版本中為4nm，Zen5c版本則升級為3nm，其CCD部分同樣為6nm，表明兩者在很大程度上共享了相似的設計。

那么，對于即將面世的Zen6架構，其IOD部分將采用何種工藝成為了外界關注的焦點。此前有消息稱，Zen6的IOD將升級到臺積電的4nm工藝，特別是N4P版本。然而，最新的情報指出，Zen6的IOD制造或將轉向三星，盡管同樣是4nm級別，但具體為三星的4LPP工藝，也被稱為SF4。

盡管三星的工藝在性能和能效方面相較于臺積電略顯遜色，但對于IOD而言，并不需要過于先進的工藝，因為其功耗相對較低。三星4LPP工藝自2022年量產以來，已經相當成熟，這意味著其生產成本將更為低廉。作為一個低功耗工藝節點，4LPP非常適合用于IOD的生產。

數據顯示，三星4LPP的晶體管密度達到了每平方毫米1.37億個，這一數值與臺積電的N5工藝相當，僅比臺積電的N4P工藝低約5%，同時遠高于Intel 4工藝的11%。由此可見，三星4LPP工藝本身具備良好的素質，能夠滿足IOD的生產需求。