Intel近日宣布了一項重大進展，其前沿的18A工藝（即1.8納米工藝）已經準備就緒，專為首批客戶項目量身打造，并定于2025年上半年啟動流片流程。
據業界觀察家透露，Intel的18A工藝有望成為全球首個突破2納米大關的半導體制造工藝，這一里程碑式的成就或將使Intel在工藝技術方面領先臺積電一年。
該工藝不僅在SRAM密度方面能夠與臺積電相媲美，而且在每瓦性能上實現了15%的提升。尤為與Intel 3工藝（應用于至強6系列處理器）相比，18A工藝的芯片密度激增了30%。
Intel在18A工藝中融入了GAA晶體管架構，并創新性地引入了PowerVia背部供電技術，這一舉措被視為解決處理器邏輯區域電壓下降及干擾問題的關鍵策略。
反觀臺積電，其2nm N2制程的量產計劃定于2025年底，而首批面向消費者的產品預計將在2026年中面世，時間上稍顯滯后。
Intel已規劃將18A制程應用于即將問世的Panther Lake系列筆記本處理器和Clearwater Forest服務器CPU，這兩款備受矚目的產品有望在年底前與消費者見面。
