近日，意法半導體與英諾賽科宣布了一項重要合作，雙方已于3月31日正式簽署氮化鎵（GaN）技術開發與制造協議。此次攜手旨在通過整合各自優勢，增強氮化鎵功率解決方案的市場競爭力，并提升供應鏈的靈活性和韌性。

根據協議條款，雙方將共同推進氮化鎵功率技術的聯合研發項目，預期在未來幾年內，推動該技術在消費電子、數據中心、汽車工業及工業電源系統等多個領域的廣泛應用，展現出廣闊的市場前景。

合作還涉及產能互補。英諾賽科將能夠利用意法半導體在海外的前端制造能力生產氮化鎵晶圓，而意法半導體也將借助英諾賽科在中國的制造基地，擴大其氮化鎵晶圓的產能。這種靈活的供應鏈布局，有助于雙方拓展氮化鎵產品組合，提高市場供應能力。

雙方共同的目標是通過這一合作，提升供應鏈的韌性，以更好地滿足不同應用場景下的客戶需求。意法半導體APMS總裁Marco Cassis表示，作為IDM（垂直整合器件制造商），此次合作將充分發揮IDM模式的優勢，為全球客戶創造更多價值。

Cassis進一步指出，意法半導體將加速氮化鎵功率技術的部署，進一步完善現有的硅和碳化硅產品組合，并通過靈活的制造模式，為全球客戶提供更優質的服務。同時，英諾賽科董事長兼創始人駱薇薇也表示，氮化鎵技術在實現小型化、高效率、低功耗、低成本及低碳排放的電子系統中發揮著關鍵作用。

駱薇薇強調，英諾賽科在8英寸（200mm）硅基氮化鎵晶圓量產方面處于領先地位，已累計出貨超過10億顆氮化鎵器件，覆蓋多個市場領域。她對與意法半導體的戰略合作表示高度振奮，認為這將進一步擴大氮化鎵技術的普及范圍，并加速下一代氮化鎵技術的開發。