【沃資訊】10月19日消息，三星，全球最大的NAND閃存供應(yīng)商，正積極推動(dòng)其第九代V-NAND(3D NAND)技術(shù)的發(fā)展，該技術(shù)將擁有超過300層，創(chuàng)業(yè)內(nèi)新紀(jì)錄。

三星電子總裁兼存儲(chǔ)器事業(yè)部負(fù)責(zé)人李政培在一篇博客文章中宣布，第九代V-NAND采用雙層結(jié)構(gòu)，擁有業(yè)界最高層數(shù)。他表示，明年初將開始量產(chǎn)這一創(chuàng)新技術(shù)，繼續(xù)領(lǐng)先競爭對(duì)手。

今年8月，已經(jīng)有消息透露三星正在研發(fā)第九代V-NAND，擁有超過300層，仍然采用三星首次使用的雙層技術(shù)。而根據(jù)最新的官方聲明，三星的第九代V-NAND的層數(shù)將超過競爭對(duì)手，包括SK海力士，后者的下一代3D NAND將具有321層。

這一層數(shù)的提升將有助于三星提高其3D NAND設(shè)備的存儲(chǔ)密度，未來的閃存類型不僅會(huì)提高存儲(chǔ)密度，還將提高性能。李政培指出，三星還在研究下一代技術(shù)，以最大化V-NAND的輸入/輸出速度，為用戶提供更高的性能。

盡管目前尚不清楚第九代V-NAND的性能表現(xiàn)如何，但預(yù)計(jì)三星將使用這一存儲(chǔ)器技術(shù)來生產(chǎn)即將推出的固態(tài)硬盤，可能采用PCIe Gen5接口。此外，三星也在積極追求更長期的技術(shù)創(chuàng)新，包括最小化單元干擾、減小高度和提高垂直層數(shù)，以實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最小的單元尺寸。這些創(chuàng)新將有助于三星實(shí)現(xiàn)愿景，即擁有超過1000層的3D NAND和高度差異化的存儲(chǔ)器解決方案。