【沃資訊】10月19日消息,三星,全球最大的NAND閃存供應商,正積極推動其第九代V-NAND(3D NAND)技術的發展,該技術將擁有超過300層,創業內新紀錄。
三星電子總裁兼存儲器事業部負責人李政培在一篇博客文章中宣布,第九代V-NAND采用雙層結構,擁有業界最高層數。他表示,明年初將開始量產這一創新技術,繼續領先競爭對手。
今年8月,已經有消息透露三星正在研發第九代V-NAND,擁有超過300層,仍然采用三星首次使用的雙層技術。而根據最新的官方聲明,三星的第九代V-NAND的層數將超過競爭對手,包括SK海力士,后者的下一代3D NAND將具有321層。
這一層數的提升將有助于三星提高其3D NAND設備的存儲密度,未來的閃存類型不僅會提高存儲密度,還將提高性能。李政培指出,三星還在研究下一代技術,以最大化V-NAND的輸入/輸出速度,為用戶提供更高的性能。
盡管目前尚不清楚第九代V-NAND的性能表現如何,但預計三星將使用這一存儲器技術來生產即將推出的固態硬盤,可能采用PCIe Gen5接口。此外,三星也在積極追求更長期的技術創新,包括最小化單元干擾、減小高度和提高垂直層數,以實現業內最小的單元尺寸。這些創新將有助于三星實現愿景,即擁有超過1000層的3D NAND和高度差異化的存儲器解決方案。