【沃資訊】10月19日消息，三星，全球最大的NAND閃存供應商，正積極推動其第九代V-NAND(3D NAND)技術的發展，該技術將擁有超過300層，創業內新紀錄。

三星電子總裁兼存儲器事業部負責人李政培在一篇博客文章中宣布，第九代V-NAND采用雙層結構，擁有業界最高層數。他表示，明年初將開始量產這一創新技術，繼續領先競爭對手。

今年8月，已經有消息透露三星正在研發第九代V-NAND，擁有超過300層，仍然采用三星首次使用的雙層技術。而根據最新的官方聲明，三星的第九代V-NAND的層數將超過競爭對手，包括SK海力士，后者的下一代3D NAND將具有321層。

這一層數的提升將有助于三星提高其3D NAND設備的存儲密度，未來的閃存類型不僅會提高存儲密度，還將提高性能。李政培指出，三星還在研究下一代技術，以最大化V-NAND的輸入/輸出速度，為用戶提供更高的性能。

盡管目前尚不清楚第九代V-NAND的性能表現如何，但預計三星將使用這一存儲器技術來生產即將推出的固態硬盤，可能采用PCIe Gen5接口。此外，三星也在積極追求更長期的技術創新，包括最小化單元干擾、減小高度和提高垂直層數，以實現業內最小的單元尺寸。這些創新將有助于三星實現愿景，即擁有超過1000層的3D NAND和高度差異化的存儲器解決方案。