三星電子DS部門的首席技術(shù)官宋在赫，在國際固態(tài)電路會議（ISSCC）上發(fā)表了重要講話，并披露了一系列創(chuàng)新技術(shù)。此次會議于舊金山舉行，吸引了眾多業(yè)內(nèi)人士的關(guān)注。

宋在赫詳細(xì)介紹的技術(shù)中，最為引人注目的是晶圓鍵合技術(shù)。這項技術(shù)將用于提升NAND閃存的堆疊層數(shù)，有望從當(dāng)前的400層起步，進(jìn)一步邁向1000層以上的新高度。他特別指出，鍵合技術(shù)能夠在NAND區(qū)域?qū)崿F(xiàn)超過1000層的堆疊，這在業(yè)界尚屬首次。

為了直觀展示這一技術(shù)的潛力，宋在赫還公開展示了一份名為“Multi-BV NAND”結(jié)構(gòu)的PPT。該結(jié)構(gòu)通過堆疊四片晶圓（2+2）的方式，打破了傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的限制，為實現(xiàn)更高層數(shù)的NAND閃存提供了可能。

值得注意的是，三星電子并非唯一一家致力于提升NAND閃存堆疊層數(shù)的企業(yè)。全球第二大NAND閃存制造商鎧俠也在積極研發(fā)類似技術(shù)，其目標(biāo)是到2027年開發(fā)出1000層的3D NAND。而在中國，長江存儲同樣在這一領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，其“Xtacking”技術(shù)已經(jīng)在量產(chǎn)的270層NAND閃存中得到應(yīng)用。

業(yè)內(nèi)人士指出，傳統(tǒng)的單元堆疊方式在單個晶圓上的堆疊層數(shù)有限，大約只能達(dá)到500層左右。因此，要實現(xiàn)三星所承諾的1000層NAND，必須采用多片晶圓堆疊的方式。事實上，三星早在2022年的技術(shù)日上就已經(jīng)承諾，將在2030年之前開發(fā)出1000層的NAND。

除了晶圓鍵合技術(shù)外，三星還展示了其他兩項創(chuàng)新技術(shù)：低溫蝕刻和鉬沉積。低溫蝕刻技術(shù)預(yù)計將被用于400層或以上的NAND通孔制造中，目前已有東京電子和Lam Research等公司正在開發(fā)相關(guān)設(shè)備。這一技術(shù)的特點是能夠在極低的溫度下保持高速蝕刻，從而減少堆疊問題。

另一項創(chuàng)新技術(shù)是鉬沉積。三星計劃將鉬元素引入字線材料中，以取代傳統(tǒng)的鎢和氮化鈦材料。這一改變將大幅降低晶體管的電阻率，從而提升NAND閃存的性能。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，使用鉬可以進(jìn)一步減少層高30%至40%，目前已有相關(guān)設(shè)備廠商在這一領(lǐng)域展開競爭。

隨著這些新技術(shù)的應(yīng)用，材料市場也將迎來一場大變革。新一代NAND閃存的生產(chǎn)將不僅涉及前驅(qū)體的變革，還將對蝕刻液劑、動力氣體等材料產(chǎn)生重大影響。這一變革將推動整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展和創(chuàng)新。