近日，美光科技正式揭曉了其革命性的智能手機存儲解決方案，標志著全球首款基于G9工藝節(jié)點的UFS 4.1與UFS 3.1存儲芯片已開始向市場供貨。這一創(chuàng)新成果不僅預示著智能手機本地人工智能能力的顯著提升，更為未來旗艦產(chǎn)品的性能樹立了新的標桿。

據(jù)悉，這些前沿的存儲芯片緊隨美光即將于2026年初推出的1y工藝LPDDR5X芯片之后，預計將很快應用于高端智能手機中。LPDDR5X芯片的推出無疑為這一系列的存儲解決方案增添了更多期待。

從技術(shù)層面來看，新型UFS 4.1與UFS 3.1存儲芯片在硬件性能上實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。得益于美光的G9工藝節(jié)點，這些芯片不僅能效更高，讀寫速度也得到了顯著提升。存儲容量范圍從256GB至1TB，完美適配超薄及折疊屏智能手機，滿足用戶對大容量與高性能的雙重需求。

值得注意的是，美光在軟件優(yōu)化方面同樣不遺余力，旨在通過軟件與硬件的協(xié)同，進一步提升用戶體驗及人工智能任務的執(zhí)行效率。UFS 4.1存儲解決方案引入了分區(qū)UFS技術(shù)，這一創(chuàng)新技術(shù)有效提升了讀寫效率，并顯著降低了寫入放大效應。同時，數(shù)據(jù)碎片整理功能也得到了增強，使得UFS設備內(nèi)部的數(shù)據(jù)重定位和碎片整理效率提高了60%。

固定寫入加速器（Pinned WriteBooster）的加入，更是將存儲在寫入加速器緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)訪問速度提升了高達30%，為用戶帶來了更為流暢的使用體驗。而智能延遲追蹤器則通過智能分析延遲日志，自動進行調(diào)試優(yōu)化，這一功能同樣適用于UFS 3.1芯片。值得注意的是，部分高級功能如分區(qū)UFS技術(shù)和固定寫入加速器等，為UFS 4.1芯片所獨有，展現(xiàn)了其在性能上的領先地位。