歐洲先進FD-SOI中試線項目FAMES近日宣布了一項重要計劃，旨在征集采用10nm和7nm FD-SOI全耗盡型絕緣體上硅工藝的芯片設計。這一消息由法國媒體ECInews率先報道，引起了業界的廣泛關注。
據FAMES項目的協調員Dominique Noguet介紹，基于10nm FD-SOI工藝的測試芯片有望在2027年面世。這一制程節點將借助193nm ArFi DUV光刻機，并采用SADP自對準雙重曝光技術來實現。這一技術的運用，將有望推動FD-SOI工藝在更先進的制程節點上取得突破。
FAMES中試線不僅將提供用于先進FD-SOI節點的性能評估PDK（工藝設計套件），還將提供用于測試設計的MPW多項目晶圓用PDK。這將為芯片設計者提供更為便捷和高效的測試環境，有助于加速新技術的研發和應用。
除了邏輯制程外，FAMES中試線還十分關注配套的片上嵌入式NVM非易失性存儲技術的發展。據悉，FAMES牽頭方法國CEA-Leti研究所已經在OxRAM（氧化物基阻變存儲器）方面取得了顯著進展，并正在積極關注FRAM/FeFET（鐵電存儲器）和MRAM（磁性存儲器）等新型存儲技術的發展。
此次FAMES項目的公開征集計劃，標志著歐洲在FD-SOI工藝領域的研發和應用邁出了重要一步。隨著技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展，FD-SOI工藝有望在更多領域展現出其獨特的優勢和潛力。
FAMES中試線的建設也將為歐洲半導體產業的發展注入新的活力。通過提供先進的工藝設計套件和測試環境，FAMES中試線將有助于吸引更多的芯片設計企業和研究機構參與到FD-SOI工藝的研發和應用中來，共同推動歐洲半導體產業的繁榮和發展。
